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参数资料
| 型号： | DMN2400UFB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 470µW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2400UFB-7DIDKR |
DMN2400UFB
1.2
1.0
1.6
1.2
T A = 25°C
0.8
I D = 1mA
0.6
I D = 250μA
0.8
0.4
0.4
0.2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
60
5
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
50
f = 1MHz
4
V DS = 10V
40
C iss
3
I D = 250mA
30
2
20
10
C oss
1
0
0
C rss
5 10 15
20
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
0.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 10 Gate-Charge Characteristics
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 253°C/W
0.01 D = 0.01
P(pk)
t 1
T J A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 2
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
-T
t 2
/t
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 11 Transient Thermal Response
DMN2400UFB
Document number: DS31963 Rev. 3 - 2
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www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
| DMN2400UV-7 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2400UFD-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2400UV-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R |
| DMN2400UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2500UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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