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参数资料
| 型号： | DMN2400UFB-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 750mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 470µW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 3-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 3-X1DFN1006 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN2400UFB-7DIDKR |
DMN2400UFB
Package Outline Dimensions
A
X1-DFN1006-3
A1
D
b1
Dim
A
A1
b1
b2
D
E
Min
0.47
0
0.10
0.45
0.95
0.55
Max Typ
0.53 0.50
0.05 0.03
0.20 0.15
0.55 0.50
1.075 1.00
0.675 0.60
E
b2
e
e
?
?
0.35
L1
L2
0.20
0.20
0.30 0.25
0.30 0.25
L3
? ?
0.40
All Dimensions in mm
L2
L3
L1
Suggested Pad Layout
C
X 1
Dimensions
Z
Value (in mm)
1.1
X
G2
G1
G2
X
X1
0.3
0.2
0.7
0.25
Y
G1
Y
C
0.4
0.7
Z
DMN2400UFB
Document number: DS31963 Rev. 3 - 2
5 of 6
www.diodes.com
April 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN2400UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4 |
| DMN2400UV-7 | MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 |
| DMN2500UFB4-7 | MOSF N CH 20V 810A X2-DFN1006-3 |
| DMN26D0UDJ-7 | MOSFET 2N-CH 20V 230MA SOT963 |
| DMN26D0UFB4-7 | MOSFET N-CH 20V 230MA DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN2400UFD-7 | 功能描述:MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2400UV | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN2400UV-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 1.33A 6-Pin SOT-563 T/R |
| DMN2400UV-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN2500UFB4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 2-DFN1006-3 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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