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参数资料
| 型号： | DMN65D8LW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 22pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN65D8LW-7DIDKR |
DMN65D8LW
0.6
1
V DS = 5.0V
0.5
0.4
0.3
0.1
T A = 150°C
T A = 125°C
0.2
T A = 85°C
0.1
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
1 2 3 4
5
0.01
0
0.5
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
5.0
4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 Typical Output Characteristic
2.4
2.2
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE
Figure 2 Typical Transfer Characteristics
4.0
3.5
2.0
1.8
V GS = 10 V
I D = 115mA
3.0
V GS = 5V
1.6
2.5
1.4
V GS = 5V
I D = 115mA
2.0
1.5
1.0
0.5
V GS = 10V
1.2
1.0
0.8
0.6
0
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
I D , DRAIN CURRENT
0.6
0.4
50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
5
4
Figure 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
2.0
1.8
1.6
Figure 4 On-Resistance Variation with Temperature
1.4
I D = 1mA
3
V GS = 5V
I D = 115mA
1.2
I D = 250μA
1.0
2
V GS = 10 V
0.8
1
I D = 115mA
0.6
0.4
0.2
0
- 50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5 On-Resistance Variation with Temperature
Figure 6 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
DMN65D8LW
Document number: DS35639 Rev. 4 - 2
3 of 5
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN66D0LDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LDW-7 | 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN66D0LT-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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