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参数资料
| 型号： | DMN65D8LW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 300MA SOT323 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 300mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 115mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.87nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 22pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SOT-323 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMN65D8LW-7DIDKR |
DMN65D8LW
1
0.1
T A = 150°C
1,000
100
T A = 150°C
0.01
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
10
T A = 125°C
0.001
T A = -55°C
1
T A = -55°C T A = 25°C
T A = 85°C
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0
10 20 30 40 50
50
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7 Diode Forward Voltage vs. Current
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
45
f = 1MHz
9
40
35
30
8
7
6
V DS = 30V
I D = 150m A
25
20
15
10
5
C iss
C oss
5
4
3
2
1
0
0
C rss
5 10 15 20
25
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 10 Gate Charge
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT323
Dim Min Max Typ
G
H
B C
A
B
C
D
G
H
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
K
M
J
K
L
0.0 0.10 0.05
0.90 1.00 1.00
0.25 0.40 0.30
J
D
L
M
α
0.10 0.18 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
DMN65D8LW
Document number: DS35639 Rev. 4 - 2
4 of 5
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMN66D0LDW-7 | MOSFET N-CH DUAL 115MA SOT-363 |
| DMN66D0LT-7 | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 |
| DMP1022UFDE-7 | MOSF P CH 12V U-DFN2020-6 TYPE E |
| DMP1096UCB4-7 | MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP |
| DMP1245UFCL-7 | MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMN66D0LDW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN66D0LDW-7 | 功能描述:MOSFET 250mW 60Vdss RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LT | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMN66D0LT-7 | 功能描述:MOSFET NMOS-Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMN66D0LW | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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