- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录407 > DMP2035UVT-7 (Diodes Inc)MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DMP2035UVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2035UVT-7DIDKR |
DMP2035UVT
25
V GS = 8.0V
20
V GS = 4.5V
V DS = -5.0V
20
15
V GS = 3.5V
V GS = 3.2V
V GS = 3.0V
V GS = 2.0V
15
10
V GS = 2.5V
10
5
T A = 150 ° C
5
V GS = 1.5V
T A = 125 ° C
T A = 85 ° C
T A = 25 ° C
0
0
1
2 3 4
5
0
0
T A = -55 ° C
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
0.07
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = -4.5V
0.06
0.04
T A = 150 ° C
0.05
0.04
0.03
T A = 125 ° C
T A = 85°C
T A = 25 ° C
0.03
0.02
T A = -55 ° C
0.02
0.1
1
10
100
0.01
0
4 8 12 16
20
1.7
1.5
1.3
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.06
0.05
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
V GS = -2. 5V
1.1
0.04
0.03
I D = -5 A
0.9
0.7
0.02
V GS = -4.5V
I D = -10 A
0.5
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
0.01
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMP2035UVT
Document number: DS35190 Rev. 5 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2039UFDE-7 | MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E |
| DMP2039UFDE4-7 | MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 |
| DMP2066LDM-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
| DMP2066LSD-13 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC |
| DMP2066LSN-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2039UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2039UFDE4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2039UFDE4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2039UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。