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参数资料
| 型号： | DMP2035UVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2035UVT-7DIDKR |
DMP2035UVT
1.2
20
18
1.0
16
0.8
0.6
0.4
0.2
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
10,000
100,000
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
T A = 150°C
T A = 150°C
1,000
T A = 125°C
10,000
T A = 125°C
1,000
100
10
T A = -55°C
T A = 85°C
T A = 25°C
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
1
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
1
2
4 6 8 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 9 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10,000
-V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Gate-Source Leakage Current vs. Voltage
10
f = 1MHz
8
C iss
6
1,000
4
C oss
2
100
0
2
4
C rss
6 8 10 12 14 16 18 20
0
0
4
8 12 16 20 24 28 32 36 40
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Junction Capacitance
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 12 Gate-Charge Characteristics
DMP2035UVT
Document number: DS35190 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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