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参数资料
| 型号： | DMP2035UVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P CH 20V 6A TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 23.1nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMP2035UVT-7DIDKR |
DMP2035UVT
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 88°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 13 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
D
e1
TSOT26
Dim Min Max Typ
A ? 1.00 ?
A1
A2
0.01 0.10
0.84 0.90
?
?
D
?
?
2.90
E1
E
E
?
?
2.80
e
6x b
4x θ 1
L
c
θ
L2
E1
b
c
e
e1
? ?
0.30 0.45
0.12 0.20
? ?
? ?
1.60
?
?
0.95
1.90
L
0.30 0.50
A
A2
L2
θ
? ? 0.25
0° 8° 4°
A1
Suggested Pad Layout
C
C
θ 1 4° 12° ?
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Y1
DMP2035UVT
Document number: DS35190 Rev. 5 - 2
Y (6x)
X (6x)
5 of 6
www.diodes.com
C
X
Y
Y1
0.950
0.700
1.000
3.199
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMP2039UFDE-7 | MOSF P CH 25V 6.7A U-DFN2020-6E |
| DMP2039UFDE4-7 | MOSF P CH 25V 7.3A X2-DFN2020-6 |
| DMP2066LDM-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26 |
| DMP2066LSD-13 | MOSFET P-CH DUAL 20V 5.8A 8-SOIC |
| DMP2066LSN-7 | MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMP2039UFDE | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2039UFDE4 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:25V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMP2039UFDE4-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2039UFDE-7 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 U-DFN2020-6 T&R 3K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMP2066LDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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