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参数资料
| 型号： | DS28E04S-100+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 31/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 16SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 接口： | 1 线 串行 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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DS28E04-100: 4096-Bit 1-Wire Addressable EEPROM with PIO
Figure 18. CRC-16 Hardware Description and Polynomial
Polynomial = X
+X
+X +1
16
15
2
1
2
3
4
5
6
7
8
X
X
X
X
X
X
X
X
0
st
STAGE
nd
STAGE
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STAGE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
8
9
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11
12
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14
15
INPUT DATA
16
CRC
OUTPUT
COMMAND-SPECIFIC 1-Wire COMMUNICATION PROTOCOL—LEGEND
SYMBOL
RST
PD
Select
WS
RS
CPS
RM
WREG
PIOR
PIOW
PIOP
RAL
TA
TA-E/S
<32 – T4:T0 bytes>
<data to EOM>
<register data>
CRC16
FF loop
AA loop
Programming
DESCRIPTION
1-Wire Reset Pulse generated by master.
1-Wire Presence Pulse generated by slave.
Command and data to satisfy the ROM function protocol.
Command "Write Scratchpad".
Command "Read Scratchpad".
Command "Copy Scratchpad".
Command "Read Memory".
Command "Write Register".
Command "PIO Access Read".
Command "PIO Access Write".
Command "PIO Access Pulse".
Command "Reset Activity Latches".
Target address TA1, TA2.
Target address TA1, TA2 with E/S byte.
Transfer of as many bytes as needed to reach the end of the scratchpad for a given
target address.
Transfer of as many data bytes as are needed to reach the end of the memory.
Data for registers at addresses 223h to 225h, 1 to 3 bytes, depending on start address.
Transfer of an inverted CRC16.
Indefinite loop where the master reads FF bytes.
Indefinite loop where the master reads AA bytes.
Data transfer to EEPROM; no activity on the 1-Wire bus permitted during this time.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS28EC20+T | IC EEPROM 20KBIT TO92-3 |
| DS301X | KWIK-CHG DESIGNATION STRIP SGL |
| DS3030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA |
| DS3045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 256BGA |
| DS3050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS28E04S-224-BB+T | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:- Tape and Reel |
| DS28E05P+ | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1W 1KB FTP MEMORY TSOC RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E05P+T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1W 1KB FTP MEMORY TSOC RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E05R+T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1-Wire 112-BYTE 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E10 | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:1-Wire SHA-1 Authenticator Irreversible Write Protection |
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