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参数资料
| 型号： | DS28E04S-100+T |
| 厂商： | Maxim Integrated Products |
| 文件页数： | 5/37页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 16SOIC |
| 产品培训模块： | Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K (256 x 16) |
| 接口： | 1 线 串行 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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DS28E04-100: 4096-Bit 1-Wire Addressable EEPROM with PIO
OVERVIEW
The block diagram in Figure 1 shows the relationships between the major control and memory sections of the
DS28E04-100. The DS28E04-100 has five main data components: 1) 64-bit device ID number, 2) 32-byte
scratchpad, 3) sixteen 32-byte pages of EEPROM, 4) Special Function Register, and 5) PIO Control Registers. The
hierarchical structure of the 1-Wire protocol is shown in Figure 2. The bus master must first provide one of the eight
ROM Function Commands, 1) Read ROM, 2) Match ROM, 3) Search ROM, 4) Conditional Search ROM, 5) Skip
ROM, 6) Resume, 7) Overdrive-Skip ROM or 8) Overdrive-Match ROM. Upon completion of an Overdrive ROM
command byte executed at standard speed, the device enters Overdrive mode where all subsequent
communication occurs at a higher speed. The protocol required for these ROM function commands is described in
Figure 14. After a ROM function command is successfully executed, the memory/control functions become
accessible and the master may provide any one of the nine Memory/Control Function commands. The protocol for
these commands is described in Figure 9. All data is read and written least significant bit first.
Figure 1. Block Diagram
1-Wire Network
Internal V DD
V CC
IO
1-Wire
Function Control
Device ID
Number Register
A0
Memory
Function
Control Unit
P0
P1
POL
PIO
Control Registers
CRC16
Generator
Data Memory
16 Pages of
32 Bytes Each
Special Function
Registers
5 of 37
32-Byte
Scratchpad
Internal V DD
A6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DS28EC20+T | IC EEPROM 20KBIT TO92-3 |
| DS301X | KWIK-CHG DESIGNATION STRIP SGL |
| DS3030W-100# | IC NVSRAM 256KBIT 100NS 256BGA |
| DS3045W-100# | IC NVSRAM 1MBIT 100NS 256BGA |
| DS3050W-100# | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DS28E04S-224-BB+T | 制造商:Maxim Integrated Products 功能描述:- Tape and Reel |
| DS28E05P+ | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1W 1KB FTP MEMORY TSOC RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E05P+T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1W 1KB FTP MEMORY TSOC RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E05R+T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1-Wire 112-BYTE 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| DS28E10 | 制造商:MAXIM 制造商全称:Maxim Integrated Products 功能描述:1-Wire SHA-1 Authenticator Irreversible Write Protection |
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