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EPC2025ENGR

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 说明
  • 操作
  • EPC2025ENGR
    EPC2025ENGR

    EPC2025ENGR

  • 上海鑫科润电子科技有限公司
    上海鑫科润电子科技有限公司

    联系人:鑫科润

    电话:185210072361851602286718516022897

    地址:上海徐汇区中山南二路1007号

  • 50000

  • EPC

  • 模具剖面

  • 17+

  • -
  • 全新原装现货

  • EPC2025ENGR
    EPC2025ENGR

    EPC2025ENGR

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 850

  • EPC

  • 托盘

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共40条 
  • 1
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  • 功能描述
  • TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
  • 制造商
  • epc
  • 系列
  • eGaN?
  • 包装
  • 托盘
  • 零件状态
  • 有效
  • FET 类型
  • GaNFET N 通道,氮化镓
  • FET 功能
  • 标准
  • 漏源极电压(Vdss)
  • 300V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
  • 4A(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
  • 150 毫欧 @ 3A,5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)
  • 1.85nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)
  • 194pF @ 240V
  • 功率 - 最大值
  • -
  • 工作温度
  • -40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型
  • 表面贴装
  • 封装/外壳
  • 模具
  • 供应商器件封装
  • 模具剖面(12 焊条)
  • 标准包装
  • 10
EPC2025ENGR 技术参数
  • EPC2025 功能描述:TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):300V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):150 毫欧 @ 3A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2024ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 37A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2024ENG 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 37A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:10 EPC2024 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 毫欧 @ 37A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2023ENGR 功能描述:TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):60A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.3 毫欧 @ 40A,5V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 20mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 EPC2032 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT
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