EPC2033

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2033ENGRT
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

EPC2033ENGR
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2033
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
295
EPC
BGA
20+
-
瑞智芯只做原装

EPC2033ENGRT
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
203
EPC
模具
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

EPC2033
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
435
EPC
BGA
21
-
瑞智芯只有原装

1/1页 40条/页共6条
1

您是不是要找： EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037

EPC2033 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

EPC2033 PDF下载

功能描述
TRANS GAN 150V 7MOHM BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
FET 类型
N 沟道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
31A（Ta）
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 9mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
10nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1140pF @ 75V
FET 功能
-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
7 毫欧 @ 25A，5V
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
模具
封装/外壳
模具
标准包装
1

EPC2033 技术参数

EPC2032ENGRT 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:无货 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2032ENGR 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:无货 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2032 功能描述:TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:48A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 11mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1530pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2031ENGRT 功能描述:TRANS GAN 60V 2.6MOHM BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:新产品 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2031ENGR 功能描述:TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:31A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 15mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:17nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1800pF @ 300V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040 EPC2040ENGR EPC2040ENGRT EPC2045ENGRT EPC2046ENGRT EPC2047ENGRT EPC2049ENGRT EPC2100 EPC2100ENG EPC2100ENGRT EPC2101 EPC2101ENG EPC2101ENGRT