EPC2029

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

EPC2029
上海鑫科润电子科技有限公司
上海鑫科润电子科技有限公司
联系人：鑫科润
电话：185210072361851602286718516022897
地址：上海徐汇区中山南二路1007号
50000
EPC
模具
17+
-
全新原装现货

EPC2029
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

EPC2029ENGR
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
850
EPC
托盘
1521+
-
全新原装现货

EPC2029
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-82999903
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
568
EPC
BGA
20+
-
瑞智芯只做原装

EPC2029
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
600
EPC
BGA
19
-
瑞智芯只有原装

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功能描述
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
制造商
epc
系列
eGaN?
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
GaNFET N 通道，氮化镓
FET 功能
标准
漏源极电压（Vdss）
80V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
48A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
3.2 毫欧 @ 30A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 12mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
1410pF @ 40V
功率 - 最大值
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
模具
供应商器件封装
模具
标准包装
1

EPC2029 技术参数

EPC2025ENGR 功能描述:TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:1.85nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具剖面（12 焊条）标准包装:10 EPC2025 功能描述:TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:150 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:194pF @ 240V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2024ENGR 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:停产 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 37A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2024ENG 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:托盘零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 37A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:10 EPC2024 功能描述:TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:60A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 毫欧 @ 37A，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 19mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2100pF @ 20V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:模具供应商器件封装:模具标准包装:1 EPC2032ENGR EPC2032ENGRT EPC2033 EPC2033ENGR EPC2033ENGRT EPC2034 EPC2034ENGR EPC2034ENGRT EPC2035 EPC2036 EPC2036ENGRT EPC2037 EPC2037ENGR EPC2038 EPC2038ENGR EPC2039 EPC2039ENGRT EPC2040