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参数资料
| 型号： | FDD8424H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8424HDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
' BV DS S
' T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 P A, V GS = 0V
I D = -250 P A, V GS = 0V
I D = 250 P A, referenced to 25°C
I D = -250 P A, referenced to 25°C
V DS = 32V, V GS = 0V
V DS = -32V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
40
-40
34
-32
1
-1
±100
±100
V
mV/°C
P A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
' V GS(th )
' T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 P A
V GS = V DS , I D = -250 P A
I D = 250 P A, referenced to 25°C
I D = -250 P A, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1
-1
1.7
-1.6
-5.3
4.8
3
-3
V
mV/°C
V GS = 10V, I D = 9.0A
19
24
V GS = 4.5V, I D = 7.0A
Q1
23
30
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10V, I D = 9.0A, T J = 125°C
V GS = -10V, I D = -6.5A
V GS = -4.5V, I D = -5.6A
Q2
29
42
58
37
54
70
m :
V GS = -10V, I D = -6.5A, T J = 125°C
62
80
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5V, I D = 9.0A
V DS = -5V, I D = -6.5A
Q1
Q2
29
13
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Q1
V DS = 20V, V GS = 0V, f = 1MHZ
Q2
V DS = -20V, V GS = 0V, f = 1MHZ
f = 1MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
750
1000
115
140
75
75
1.1
3.3
1000
1330
155
185
115
115
pF
pF
pF
:
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 20V, I D = 9.0A,
V GS = 10V, R GEN = 6 :
Q2
V DD = -20V, I D = -6.5A,
V GS = -10V, R GEN = 6 :
Q1
V GS = 10V, V DD = 20V, I D = 9.0A
Q2
V GS = -10V, V DD = -20V, I D = -6.5A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
7
13
3
17
20
6
3
14
17
2.3
3.0
3.2
3.6
14
14
24
10
31
36
12
10
20
24
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8424H Rev.C1
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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| FDD8424H_F085A | 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
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