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参数资料
| 型号： | FDD8424H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8424HDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
2000
C iss
8
I D = -6.5A
1000
6
V DD = -15V
V DD = -20V
C oss
V DD = -25V
4
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
4
8
12
16
20
30
0.1
1
10
40
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 20. Gate Charge Characteristics
30
25
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
15
V GS = - 10V
R T JC = 3.5 C/W
T J = 125 o C
10
V GS = - 4.5V
5
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
10us
o
Figure 23. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
10000
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
150 – T
------------------------
10
THIS AREA IS
100us
1000
CURRENT AS FOLLOWS:
C
I = I 25
125
LIMITED BY r ds(on)
1
SINGLE PULSE
1ms
100
T C = 25 o C
T J = MAX RATED
10ms
10
R T JC = 3.5 C/W
10
10
10
10
10
10
10
10
0.1
1
R T JC = 3.5 o C/W
T C = 25 o C
10
DC
80
10
-5
SINGLE PULSE
o
-4 -3 -2
-1
0
1
2
3
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 24 . Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 25. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8424H Rev.C1
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8424H_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
| FDD8424H_F085 | 功能描述:MOSFET PT2 P-Channel and PT4 N-channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A | 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
| FDD8426H | 功能描述:MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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