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参数资料
| 型号： | FDD8424H |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-252-4L |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 供应商设备封装： | TO-252-4L |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD8424HDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
40
3.0
30
20
10
V GS = - 10V
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = - 4.5V
V GS = - 4V
V GS = - 3.5V
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = -3V
V GS = -3.5V
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -4V
V GS = -4.5V
V GS = -10V
V GS = - 3V
0
0
1
2
3
4
0.5
0
10
20
30
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On- Region Characteristics
1.6
I D = -6.5A
V GS = -10V
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 15. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
160
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.4
1.2
1.0
0.8
120
80
40
I D = -6.5A
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 16. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
40
PULSE DURATION = 80 P s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
10
V GS = 0V
30
V DS = -5V
1
T J = 25 o C
20
T J = 25 o C
0.1
T J
= 150 o C
T J = -55 o C
10
T J = 150 o C
T J = -55 o C
0.01
0
1
2 3 4
5
0.001
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 19. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8424H Rev.C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8424H_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
| FDD8424H_F085 | 功能描述:MOSFET PT2 P-Channel and PT4 N-channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A | 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
| FDD8426H | 功能描述:MOSFET Dual N & P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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