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参数资料
| 型号： | FDFM2N111 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 273pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
8
V GS = 4.5V
3.5V
3.0V
2.5V
2
1.8
V GS = 2.5V
1.6
6
1.4
4
2
2.0V
1.2
1
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
0
0.8
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
2
4
6
8
10
1.6
1.4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = 4A
V GS = 4.5V
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.2
I D = 2A
0.18
0.16
1.2
1
0.8
0.6
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
8
V DS = 5V
T A = -55 o C
25 o C
10
V GS = 0V
6
4
2
0
125 o C
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
4
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDFM2N111 Rev. C 2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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