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参数资料
| 型号： | FDFM2N111 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 273pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MLP，Power33 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 3x3mm |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
6
400
5
I D = 4A
V DS = 5V
15V
10V
350
300
C iss
f = 1MHz
V GS = 0 V
4
3
250
200
2
1
0
150
100
50
0
C rss
C oss
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
0.1
T J = 125 C
T J = 25 C
T J = 100 C
1
T J = 125 o C
o
0.01
0.001
o
o
0.1
0.0001
T J = 25 C
0.01
0.001
0.00001
0.000001
o
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
5
10
15
20
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
5
FDFM2N111 Rev. C2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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