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参数资料
| 型号： | FDFMA2P029Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P029ZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
6
5
4
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -2.0V
2.6
2.2
V GS =-2.0V
3
2
1
V GS = -4.5V
V GS = -3.0V
V GS = -2.5V
V GS = -1.5V
1.8
1.4
1.0
V GS = -3.5V
PULSE DURATION = 300 P s
V GS = -2.5V
V GS = -3.0V
V GS = -4.5V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.6
0
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1 2 3 4
5
6
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
-ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = -3.1A
V GS = -4.5V
200
160
I D = -1.55A
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.2
120
1.0
0.8
80
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
40
0
2 4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
6
PULSE DURATION = 300 P s
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0V
5
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
1
T J = 125 o C
4
0.1
T J = 25 o C
3
2
T J =
125 o C
T J = -55 o C
0.01
1
0
T J = 25 o C
0.001
0.0001
T J = -55 o C
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDFMA2P029Z Rev.B1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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