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参数资料
| 型号： | FDFMA2P029Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 720pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFMA2P029ZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
I DD = -3.1A
V DD = -5V
V DD = -15V
1000
C iss
4
V DD = -10V
C oss
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4 6 8 10
12
14
50
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
50
R T JA = 173 C/W
T A =25 C
10
1
r DS(on) LIMIT
100us
1ms
40
30
SINGLE PULSE
o
o
10ms
0.1
V GS =-4.5V
SINGLE PULSE
100ms
1s
20
= 173
C/W
R
T A = 25 C
T JA
o
o
10s
DC
10
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
10
60
0
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
10
1
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
T J = 125 o C
100
10
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
T J = 125 o C
0.1
T J = 85 o C
1
T J = 85 o C
0.1
0.01
0.001
T J = 25 o C
0.01
0.001
T J = 25 o C
0
200 400 600
800
0
5
10 15 20
25
30
V F, FORWARD VOLTAGE(mV)
Figure 11. Schottky Diode Forward Voltage
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 12. Schottky Diode Reverse Current
FDFMA2P029Z Rev. B1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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