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参数资料
| 型号： | FDFMA2P853T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T A = 25 °C unless otherwise noted
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined by the
user's board design.
(a) MOSFET R θ JA = 86 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 ” x 1.5 ” x 0.062 ” thick PCB.
(b) MOSFET R θ JA = 173 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
(c) Schottky R θ JA = 86 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 ” x 1.5 ” x 0.062 ” thick PCB.
(d) Schottky R θ JA = 140 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.
a)86 o C/W when
mounted on a 1
in 2 pad of 2 oz
copper.
b)173 o C/W when
mounted on a
minimum pad of 2
oz copper.
c)86 o C/W when
mounted on a 1
in 2 pad of 2 oz
copper.
d)140 o C/W when
mounted on a
minimum pad of 2
oz copper.
2: Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty cycle < 2.0%.
FDFMA2P853T Rev.B1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDFMA2P853 | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| FDFMA2P857 | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| FDFMA2P859T | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDFMA2P857 | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Shtky Diode PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDFMA2P857_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.0A, 120mヘ |
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| FDFMA3N109 | 功能描述:MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDFMA3N109_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode |
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