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参数资料
| 型号： | FDFMA2P853T |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
4
I D = -3.0 A
700
600
V DD = -5 V
500
C iss
3
2
V DD = -10 V
V DD = -15 V
400
300
1
200
100
C oss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
C rss
4
8
12
16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
100 us
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
1
1 ms
1
T J = 125 o C
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
10 ms
100 ms
0.1
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 173 o C/W
1s
10 s
DC
0.01
T J = 25 o C
T A = 25 o C
0.01
0.1
1
10
50
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 10. Schottky Diode Foward Voltage
200
100
1
T J = 125 o C
V GS = -10 V
0.1
T J = 85 o C
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 173 o C/W
T A = 25 o C
0.01
T J = 25 o C
1
10
10
10
10
0.001
0
4
8
12
16
20
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 11. Schottky Diode Reverse Current
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDFMA2P853T Rev.B1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDFMA2P853 | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDFMA2P857 | 功能描述:MOSFET 20V P-Ch Shtky Diode PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDFMA2P857_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.0A, 120mヘ |
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| FDFMA3N109 | 功能描述:MOSFET PowerTrench MOSFET and Schottky Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDFMA3N109_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode |
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