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参数资料
| 型号： | FDG6332C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA，600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 113pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6332CDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain–Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V,
V GS = 0 V,
I D = 250 μ A
I D = –250 μ A
Q1
Q2
20
–20
V
? BV DSS
? T J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = 250 μ A,Ref. to 25 ° C
I D = –250 μ A,Ref. to 25 ° C
Q1
Q2
14
–14
mV/ ° C
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = 16 V,
V DS = –16 V,
V GS = 0 V
V GS = 0 V
Q1
Q2
1
–1
μ A
I GSSF /I GSSR Gate–Body Leakage, Forward
I GSSF /I GSSR Gate–Body Leakage, Reverse
V GS = ± 12 V,
V GS = ± 12V ,
V DS = 0 V
V DS = 0 V
± 100
± 100
nA
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
Q1
V DS = V GS , I D = 250 μ A
0.6
1.1
1.5
V
Q2
V DS = V GS , I D = –250 μ A
-0.6
–1.2
–1.5
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Q1
Q2
I D = 250 μ A,Ref. To 25 ° C
I D = –250 μ A,Ref. to 25 ° C
–2.8
3
mV/ ° C
R DS(on)
Static Drain–Source
Q1
V GS = 4.5 V,
I D =0.7 A
180
300
m ?
On–Resistance
V GS = 2.5 V,
V GS = 4.5 V,
I D =0.6 A
I D =0.7A,T J =125 ° C
293
247
400
442
Q2
V GS = –4.5 V, I D = –0.6 A
V GS = –2.5 V, I D = –0.5 A
V GS =–4.5 V, I D =–0.6 A,T J =125 ° C
300
470
400
420
630
700
g FS
Forward Transconductance
Q1
V DS = 5 V
I D = 0.7 A
2.8
S
Q2
V DS = –5 V
I D = –0.6A
1.8
I D(on)
On–State Drain Current
Q1
V GS = 4.5 V,
V DS = 5 V
1
A
Dynamic Characteristics
Q2
V GS = –4.5 V, V DS = –5 V
–2
C iss
Input Capacitance
Q1
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
113
pF
Q2
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
114
C oss
Output Capacitance
Q1
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
34
pF
Q2
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
24
C rss
Reverse Transfer Capacitance Q1
Q2
V DS =10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
V DS =–10 V, V GS = 0 V, f=1.0MHz
16
9
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn–On Delay Time
Q1
For Q1 :
5
10
ns
t r
Turn–On Rise Time
Q2
Q1
V DS =10 V,
V GS = 4.5 V,
I D = 1 A
R GEN = 6 ?
5.5
7
11
15
ns
Q2
For Q2 :
14
25
t d(off)
t f
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Q1
Q2
Q1
V DS =–10 V, I D = –1 A
V GS = –4.5 V, R GEN = 6 ?
9
6
1.5
18
12
3
ns
ns
Q2
1.7
3.4
Q g
Total Gate Charge
Q1
For Q1 :
1.1
1.5
nC
Q gs
Q gd
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
V DS =10 V,
V GS = 4.5 V,
For Q2 :
V DS =–10 V,
V GS = –4.5 V,
I D = 0.7 A
R GEN = 6 ?
I D = –0.6 A
R GEN = 6 ?
1.4
0.24
0.3
0.3
0.4
2
nC
nC
FDG6332C Rev C2 (W)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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