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参数资料
| 型号： | FDG6332C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SC70-6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SC70-6 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 700mA，600mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 300 毫欧 @ 700mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 113pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDG6332CDKR |
Typical Characteristics: P-Channel
5
160
4
I D = -0.6A
V DS = -5V
-15V
-10V
120
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
3
80
2
C OSS
40
1
C RSS
0
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
0
5
10
15
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
10
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 C/W
T A = 25 C
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
100 μ s
8
o
o
10ms
100ms
6
0.1
V GS = -4.5V
DC
1s
4
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 o C/W
T A = 25 o C
2
0.01
0.1
1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
0
0.001
0.01
0.1 1
SINGLE PULSE TIME (SEC)
10
100
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
Figure 20. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA = 415 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.001
0.02
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDG6332C Rev C2 (W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDG8850NZ | MOSFET DUAL N-CH 30V SC70-6 |
| FDH038AN08A1 | MOSFET N-CH 75V 80A TO-247 |
| FDH055N15A | MOSFET N-CH 150V TO-247-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG6332C"F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N AND P CH 20V 0.18OHM 700mA 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N AND P CH, 20V, 0.18OHM, 700mA, |
| FDG6332C_F085 | 功能描述:MOSFET 20V N&P Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG6332C_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:LOW POWER MOSFET |
| FDG6332C-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDG6332C Series 20 V 300 mOhm N & P-Channel PowerTrench Mosfet SC70-6 |
| FDG6335N | 功能描述:MOSFET FDG6335N RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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