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参数资料
| 型号： | FDMA1023PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1023PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
6
2.6
5
4
V GS = -1.8V
V GS = -4.5V
V GS = -3.0V
V GS = -2.5V
V GS = -2.0V
2.2
1.8
V GS = -1.5V
V GS = -3.0V
V GS = -1.8V
V GS = -2.0V
3
V GS = -1.5V
2
1.4
V GS = -2.5V
1
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.0
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -4.5V
0
0.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
1
2 3 4
5
6
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
-ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
200
1.4
I D = -3.7A
V GS = -4.5V
160
I D = -1.85A
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
1.2
120
1.0
0.8
80
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.6
-50
-25
0 25 50 75 100 125
150
40
0
1 2 3 4 5
6
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
6
PULSE DURATION = 300 s
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0V
5
4
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
1
T J = 125 o C
3
0.1
T J = 25 o C
2
T J = 125 o C
0.01
1
T J = 25 o C
1E-3
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1E-4
0.0
0.5 1.0 1.5
2.0
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMA1023PZ Rev.C 3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA1024NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
| FDMA1025P | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1023PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1024NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1025P | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1025P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1027P | 功能描述:MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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