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参数资料
| 型号： | FDMA1023PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 72 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 655pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1023PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
5
1000
4
I D = -3.7A
C iss
V DD = -5V
3
V DD = -10V
2
V DD = -15V
100
C oss
1
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2
4 6
8
10
40
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
20
10
r DS(on) LIMIT
100us
100
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
A
I = I 25
125
1
1ms
10ms
10
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
-----------------------
0.1
V GS =-4.5V
SINGLE PULSE
100ms
1s
SINGLE PULSE
T A = 25 o C
R
= 173
C/W
T A = 25 C
R JA = 173 C/W
T A =25 C
JA
o
o
10s
DC
1
o
o
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
10
60
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
2
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
NOTES:
P DM
t 1
t 2
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z JA x R
JA
+ T A
0.005
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
FDMA1023PZ Rev.C 3
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDMA1025P | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1023PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1024NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1025P | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1025P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1027P | 功能描述:MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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