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参数资料
| 型号： | FDMA1025P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.1A MLP2X2 |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 155 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1025PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
1000
8
6
4
I D = -3.1A
V DD = -8V
V DD = -10V
V DD = -12V
100
C iss
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
2 4 6
8
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
100us
V GS = -4.5V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
1
SINGLE PULSE
1ms
10ms
10
I = I 25
125
A
TJ = MAX RATED
T A = 25 o C
=173 C/W
R
0.1
o
JA
TA = 25 O C
100ms
1s
10s
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
DC
1
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.1
1
10
50
0.6
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
1
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.01
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 1
t 2
SINGLE PULSE
PEAK T J = P DM x Z JA x R
JA
+ T A
10
10
10
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
0
1
2
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
FDMA1025P Rev.B 4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDMA1027P | 功能描述:MOSFET MLP 2X2 DUAL PCH POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1027P_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMA1027P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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