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参数资料
| 型号： | FDMA1027PT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 435pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1027PTDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
6
V GS = -4.5 V
3.0
PULSE DURATION = 300 s
5
V GS = -2 V
2.5
V GS = -1.5 V
DUTY CYCLE = 2%MAX
4
V GS = -3.5 V
2.0
V GS = -1.8 V
V GS = -2 V
3
V GS = -3 V
V GS = -2.5 V
V GS = -1.8 V
1.5
V GS = -2.5 V
2
1
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2% MAX
V GS = -1.5 V
1.0
V GS = -3 V
V GS = -3.5 V
V GS = -4.5 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.5
0
1
2
3
4
5
6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.4
I D = -3 A
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
0.28
PULSE DURATION = 300 s
1.3
1.2
1.1
V GS = -4.5 V
0.24
0.20
0.16
DUTY CYCLE = 2% MAX
I D = -1.5 A
T J = 125 o C
1.0
0.9
0.12
0.08
T J = 25 o C
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.04
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
6
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
5
PULSE DURATION = 300 s
DUTY CYCLE = 2% MAX
V DS = -5 V
1
V GS = 0 V
T J = 125 o C
4
0.1
3
2
0.01
T J = 25 o C
1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.001
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0.0001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA1027PT Rev.B4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA1027P | MOSFET P-CH 20V DUAL MICROFET |
| FDMA1028NZ | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| FDMA1029PZ | IC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| FDMA1032CZ | IC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2 |
| FDMA2002NZ | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1028NZ | 功能描述:MOSFET 20V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1028NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1028NZ_F021 | 功能描述:MOSFET NCh 80V 171A 3.9mOhm PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1029PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1029PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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