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参数资料
| 型号： | FDMA430NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA430NZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
V GS = 4.5V
1.8
1.7
30
20
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
PULSE DURATION=300 P S
DUTY CYCLE=2.0% MAX
1.6
1.5
1.4
1.3
V GS = 2.0V
2.5V
3.5V
3.0V
V GS = 2.0V
1.2
1.1
4.5V
10
V GS = 1.5V
1.0
0.9
0
0
1 2 3
4
0.8
5
10
15
20
25
30
35
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE(V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. On-Resistance vs Drain Current and
Gate Voltage
0.08
1.4
I D = 5.0A
V GS = 4.5V
0.07
0.06
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0% MAX
I D = 2.5A
1.2
1.0
0.8
0.05
0.04
0.03
T J = 125 o C
0.6
-80
-40
0
40
80
120
160
0.02
1
T J = 25 o C
2
3
4
5
T J ,JUNCTION TEMPERATURE ( C )
O
Figure 3. Normalized On Resistance vs Junction
Temperature
30
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to Source
Votlage
100
25
PULSE DURATION = 300 P s
DUTY CYCLE = 2.0% MAX
10
V GS = 0V
V DS = 5V
20
1
T J = 125 C
T J = 25 C
15
0.1
o
o
T J = 125 C
T J = 25 C
T J = -55 C
10
5
o
o
0.01
1E-3
o
T J = -55 o C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1E-4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWAD VOLTAGE(V)
Figure 6. Source to Drain Diode Forward
Voltage vs Source Current
FDMA430NZ Rev B 5
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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