- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC2523P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC2523P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2523PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
3.0
1.6
V GS = -10V
PULSE DURATION = 300 μ s
PULSE DURATION = 300 μ s
2.5
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V GS = -6V
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
2.0
V GS = -8V
V GS = -7V
1.4
1.5
V GS = -9V
1.2
V GS = -7V
V GS = -8V
1.0
V GS = -9V
0.5
V GS = -6V
1.0
V GS = -10V
0.0
0
2 4 6 8
10
0.8
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.1
I D = -3A
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
4.0
PULSE DURATION = 300 μ s
1.8
V GS = -10V
3.5
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
I D = -0.75A
1.5
3.0
1.2
0.9
0.6
0.3
2.5
2.0
1.5
1.0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
3.0
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
2.5
2.0
PULSE DURATION = 300 μ s
DUTY CYCLE = 2.0%MAX
V DD = -5V
1
V GS = 0V
T J = 125 o C
0.1
1.5
1.0
0.5
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.01
1E-3
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0.0
1E-4
2
3 4 5 6 7
8
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0
2.5
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMC2523P Rev.C5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC2610 | MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8 |
| FDMC2674 | MOSFET N-CH 220V 1A 3.3SQ MLP |
| FDMC3020DC | MOSFET N-CH 30V 40A POWER33 |
| FDMC3612 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC4435BZ | MOSFET P-CH 30V 8.5A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC2523P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET -150V, -3A, 1.5ヘ |
| FDMC2523P_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel QFET?? -150V, -3A, 1.5?? |
| FDMC2610 | 功能描述:MOSFET 200V N-Ch UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC2610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 200V 9.5A POWER33-8 |
| FDMC2610 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。