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参数资料
| 型号： | FDMC2523P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 150V 3A MLP 3.3SQ |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 17/March/2008 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | QFET™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 42W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMC2523PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = -3A
V DD = -50V
1000
8
V DD = -75V
C iss
6
V DD = -100V
100
C oss
4
10
C rss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
0
0
2
4 6
8
1
0
25
50
75
100
125
150
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
6
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
T J = 25 o C
10
1
0.1
r DS(on) LIMITED
100us
1ms
10ms
100ms
R θ JA = 135 C/W
1
T J = 125 o C
0.01
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
o
1s
10s
DC
10
10
10
10
0.5
-2
-1
0
1
20
1E-3
1
TA = 25 o C
10
100
400
t AV , TIME IN AVALANCHE ( μ s )
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
500
100
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
T A = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
------------------------
R θ JA = 135 C/W
10
1
0.5
SINGLE PULSE
o
I = I 25
125
A
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
FDMC2523P Rev.C5
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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