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参数资料
| 型号： | FDMC8200 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 特色产品： | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200DKR |
Dimensional Outline and Pad Layout
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200 Rev.A1
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8200 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC8200_F128 | 功能描述:MOSFET Dual N-CH 30V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDMC8200 Series 30 V 20 mOhm Dual N-Channel PowerTrench?Mosfet - Power33 |
| FDMC8200S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200S_F106 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
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