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参数资料
| 型号： | FDMC8200 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 特色产品： | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200DKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V DS = 20 V, V GS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
14
14
1
1
100
100
V
mV/°C
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.0
1.0
2.3
2.3
-5
-6
3.0
3.0
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 6 A
16
20
V GS = 4.5 V, I D = 5 A
Q1
24
32
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 6 A, T J = 125 °C
V GS = 10 V, I D = 9 A
V GS = 4.5 V, I D = 7 A
Q2
22
7.3
9.5
28
9.5
13.5
m ?
V GS = 10 V, I D = 9 A, T J = 125 °C
10
13
g FS
Forward Transconductance
V DD = 5 V, I D = 6 A
V DD = 5 V, I D = 9 A
Q1
Q2
29
56
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
Q2
495
1180
660
1570
pF
C oss
C rss
R g
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
145
330
20
30
1.4
1.4
195
440
30
45
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
Q2
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
V GS = 0 V to 10 V Q1:
V DD = 15 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 6 A,
Q2:
V DD = 15 V,
I D = 9 A,
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
11
13
3.1
4
35
38
1.3
6
7.3
16
3.1
7
1.8
4.1
1
1.5
20
23
10
10
56
60
10
12
10
22
4.3
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200 Rev.A1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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