- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC8200 (Fairchild Semiconductor)MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC8200 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 特色产品： | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200DKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Volt-
age
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 6 A
V GS = 0 V, I S = 9 A
Q1
I F = 6 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q2
I F = 9 A, di/dt = 100 A/ μ s
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
0.8
13
21
2.3
5.6
1.2
1.2
24
34
10
12
V
ns
nC
Notes:
1. R θ JA is determined with the device mounted on a 1in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined
by the user's board design.
a.65 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
c. 180 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty cycle < 2.0%.
3. As an N-ch device, the negative Vgs rating is for low duty cycle pulse ocurrence only. No continuous rating is implied.
b.55 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
d. 145 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200 Rev.A1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8321L | MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN |
| FDMC8462 | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 |
| FDMC8554 | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| FDMC8588 | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8200 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC8200_F128 | 功能描述:MOSFET Dual N-CH 30V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDMC8200 Series 30 V 20 mOhm Dual N-Channel PowerTrench?Mosfet - Power33 |
| FDMC8200S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200S_F106 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。