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参数资料
| 型号： | FDMC8200 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 特色产品： | FDMC8200 Dual MOSFET for Synchronous Buck Designs |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A，12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-Power33（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200DKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = 6 A
1000
C iss
6
4
2
0
V DD = 15 V
V DD = 10 V
V DD = 20 V
100
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
2
4
6
8
0.1
1
10
30
R θ JC = 7.5 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
25
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
o
10
100 us
20
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1 ms
10 ms
100 ms
1s
15
10
Limited by Package
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
10 s
V GS = 4.5 V
0.01
T J = MAX RATED
R θ JA = 180 o C/W
DC
5
T C = 25 C
o
0.001
0.01
0.1
1
10
100200
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
300
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain Current
vs Case Temperature
R θ JA = 180 C/W
100
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
o
T A = 25 C
o
10
1
0.5
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200 Rev.A1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8200 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET Transistor |
| FDMC8200_F128 | 功能描述:MOSFET Dual N-CH 30V 12A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDMC8200 Series 30 V 20 mOhm Dual N-Channel PowerTrench?Mosfet - Power33 |
| FDMC8200S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8200S_F106 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
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