- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC8200S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC8200S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200SDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 1mA, referenced to 25°C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
14
13
1
500
100
100
V
mV/°C
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1mA
I D = 250 μ A, referenced to 25°C
I D = 1mA, referenced to 25°C
Q1
Q2
Q1
Q2
1.0
1.0
2.3
2.0
-5
-6
3.0
3.0
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 6 A
16
20
V GS = 4.5 V, I D = 5 A
Q1
24
32
r DS(on)
Static Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 6 A, T J = 125°C
V GS = 10 V, I D = 8.5 A
V GS = 4.5 V, I D = 7.2 A
Q2
22
7.8
10.3
28
10.0
13.5
m Ω
V GS = 10 V, I D = 8.5 A, T J = 125°C
11.4
13.1
g FS
Forward Transconductance
V DD = 5 V, I D = 6 A
V DD = 5 V, I D = 8.5 A
Q1
Q2
29
43
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
Q1
Q2
495
1080
660
1436
pF
C oss
C rss
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
145
373
20
35
195
495
30
52
pF
pF
R g
Gate Resistance
Q1
Q2
0.2
0.2
1.4
1.2
4.2
3.6
Ω
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(TOT)
Q g(TOT)
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
Q2
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
V GS = 0 V to 10 V Q1
V DD = 15 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 6 A
Q2
V DD = 15 V
I D = 8.5 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
11
7.6
3.1
1.8
35
21
1.3
8.5
7.3
15.7
3.1
7.2
1.8
3
1
1.9
20
15
10
10
56
34
10
17
10
22
4.3
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200S Rev.C4
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8200 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| FDMC8321L | MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN |
| FDMC8462 | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 |
| FDMC8554 | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| FDMC8588 | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8200S_F106 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| FDMC8296 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8296_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 30V, 18A, 8.0m |
| FDMC8298 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC8321L | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。