- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录420 > FDMC8200S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMC8200S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200SDKR |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
27
4
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
V GS = 3 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
18
9
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
3
2
V GS = 3.5 V
V GS = 4 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
0
9
18
27
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. On- Region Characteristics
1.6
I D = 8.5 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 15. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
100
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 10 V
80
I D = 8.5 A
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
60
1.2
40
1.0
20
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.8
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 16. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
27
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
30
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
18
V DS = 5 V
1
T J = 150 o C
9
T J = 150 o C
T J
= 25 o C
0.1
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
0.001
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 19. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200S Rev.C4
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8200 | MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33 |
| FDMC8321L | MOSFET N-CH 44V 49A 8-PQFN |
| FDMC8462 | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 |
| FDMC8554 | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
| FDMC8588 | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8200S_F106 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| FDMC8296 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHANNEL POWER TRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8296_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 30V, 18A, 8.0m |
| FDMC8298 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMC8321L | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。