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参数资料
| 型号： | FDMC8200S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMC8200SDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
I D = 6 A
1000
C iss
6
4
2
V DD = 15 V
V DD = 10 V
V DD = 20 V
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C oss
C rss
0
0
2
4
6
8
10
0.1
1
10
30
R θ JC = 7.5 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
8
7
6
5
4
T J = 25 o C
3
25
20
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
Limited by Package
o
2
T J
= 100 o C
10
V GS = 4.5 V
T J = 125 o C
5
1
0.01
0.1
1
7
0
25
50
75
100
125
150
T c , CASE TEMPERATURE ( C )
10
100 us us
50
100
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
100
V GS = 10 V
10 100 ms
1 s 10 s
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED MAX RATED
T J =
125 o C/W
o R
C/W =
R θ JA = 180
DC
T C = 25 o C T A = 25 C
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001 0.01
0.01
1 ms
1 ms
10 ms
r r
THIS AREA IS IS ms
LIMITED BY BY DS(on)
100 ms
SINGLE PULSE
DC
10 s
θ JA
o
0.1 1 10 100200
0.1 1 10 100200
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1 1
t, PULSE WIDTH (sec)
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
10 100
1000
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8200S Rev.C4
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| FDMC8554 | MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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