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参数资料
| 型号： | FDML7610S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3x4.5） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDML7610SDKR |
Application Information
1. Switch Node Ringing Suppression
Fairchild’s Power Stage products incorporate a proprietary design* that minimizes the peak overshoot, ringing voltage on the switch
node (PHASE) without the need of any external snubbing components in a buck converter. As shown in the figure 29, the Power Stage
solution rings significantly less than competitor solutions under the same set of test conditions.
Power Stage Device
Competitors solution
Figure 29. Power Stage phase node rising edge, High Side Turn on
*Patent Pending
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDML7610S Rev.C1
11
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
| FDMS015N04B | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| FDMS0312S | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| FDMS039N08B | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | 功能描述:MOSFET Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ8403 | 功能描述:MOSFET SER BOOST LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS015N04B | 功能描述:MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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