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参数资料
| 型号： | FDML7610S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3x4.5） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDML7610SDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
V GS = 0 V, I S = 12 A
V GS = 0 V, I S = 17 A
Q1
I F = 12 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q2
I F = 17 A, di/dt = 300 A/ μ s
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
0.8
27
35
10
40
1.2
1.2
43
56
18
64
V
ns
nC
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined
by the user's board design.
a. 60 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
c. 150 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
2: Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty cycle < 2.0%.
3: As an N-ch device, the negative Vgs rating is for low duty cycle pulse ocurrence only. No continuous rating is implied.
b. 56 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
d. 140 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDML7610S Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
| FDMS015N04B | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| FDMS0312S | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| FDMS039N08B | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | 功能描述:MOSFET Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ8403 | 功能描述:MOSFET SER BOOST LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS015N04B | 功能描述:MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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