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参数资料
| 型号： | FDML7610S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/15页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW，900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（3x4.5） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDML7610SDKR |
Typical Characteristics (Q1 N-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 12 A
2000
8
6
V DD = 10 V
V DD = 15 V
1000
C iss
C oss
4
2
V DD = 20 V
100
f = 1 MHz
C rss
0
0
5
10
15
20
V GS = 0 V
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
60
100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JC = 4 C/W
40
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
o
10
100us
1 ms
1
THIS AREA IS
10 ms
20
Limited by Package
0.1
LIMITED BY rDS ( on )
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 150 o C/W
T A = 25 o C
100 ms
1s
10s
DC
0
0.01
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100 200
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
o
Figure 9. Maximum Continuous Drain Current vs
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe Operating Area
R θ JA = 150 C/W
Case Temperature
1000
SINGLE PULSE
o
T A = 25 C
100
10
1
0.5
o
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2013 Fairchild Semiconductor Corporation
FDML7610S Rev.C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
| FDMS015N04B | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| FDMS0312S | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| FDMS039N08B | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMQ8203 | 功能描述:MOSFET Dual PT5 N-Ch & Dual PT1 PCH PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ8403 | 功能描述:MOSFET SER BOOST LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS015N04B | 功能描述:MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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