参数资料
型号: FDMS7608S
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 11/12页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN
标准包装: 3,000
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 12A,15A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1510pF @ 15V
功率 - 最大: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-MLP(5x6)
包装: 带卷 (TR)
Dimensional Outline and Pad Layout
0 .1 0 C
5.0
A
1 .2 7
0.65 TYP
2X
B
8
7
6
5
0 .6 3
2.67
0.25 0
0.40
PIN#1 QUADRANT
6 .0
0.54
0 .9 2
0.66
6.30
TOP VIEW
2X
0.10 C
0 .6 5 (5X)
1
2
4 .0 0
3
4
RECOMMENDED LAND PATTERN
(OPTION 1 - FUSED LEADS 5,6,7)
1.27
0.65 TYP
8
7
6
5
0.10 C
0 .8 0 MAX
(0.20 )
0 .6 3
0.40
0.08 C
0.05
0.00
SIDE VIEW
SEATING
PL ANE
2.67
0.54
0 .9 2
0.66
6.30
0.38 (5X)
1
2
3.85
3.75
3
4
0.48
PIN #1 IDENT
1
2
4 .0 0
3
4
0.97
0.87
RECOMMENDED LAND PATTERN
(OPTION 2 - ISOLATED LEADS)
0.66
A. DOES NOT FULLY CONFORM TO
0.55
2 .7 2
2 .6 2
JEDEC REGISTRATION, MO-229.
B. DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C. DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
0.340 4 X
0.45
ASME Y14. 5M, 1994
D. LAND PATTERN RECOMMENDATION IS
BASED ON FSC DESIGN ONLY
0.56 (5 X)
0.46
8
1.27
7
6
5
0 .2 0
E. DRAWING FILE NAME : MKT-MLP08Prev1
0.10
0.05
C A B
C
3.81
BOTTOM VIEW
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7608S Rev.C
11
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDMS7620S 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDMS7620S_F065 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 30/20V Dual N-Channel Power Trench Mosfet
FDMS7650 功能描述:MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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