- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMS7608S (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMS7608S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A，15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1510pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-MLP（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = 15 A
3000
8
6
4
2
V DD = 10 V
V DD = 20 V
V DD = 15 V
1000
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C iss
C oss
C rss
0
0
5
10
15
20
10
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 20. Gate Charge Characteristics
30
70
56
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 21. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
T J = 25 o C
T J = 100 o C
42
V GS = 10 V
28
V GS = 4.5 V
R θ JC = 3.2 C/W
T J = 125 o C
14
Limited by Package
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
100
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 22. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 23. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
1000
R θ JA = 120 C/W
10
100 μ s
100
SINGLE PULSE
o
1 ms
1
THIS AREA IS
10 ms
LIMITED BY r DS ( on )
SINGLE PULSE
100 ms
1s
10
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 120 o C/W
T A = 25 o C
10s
DC
1
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 24. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 25. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7608S Rev.C
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7620S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7650DC | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7656AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
| FDMS7658AS | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7620S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7620S_F065 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TAPE REEL / 30/20V Dual N-Channel Power Trench Mosfet |
| FDMS7650 | 功能描述:MOSFET 30/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7650_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 30 V, 100 A, 0.99 m?? |
| FDMS7650DC | 功能描述:MOSFET 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。