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参数资料
| 型号： | FDP8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
100
2.6
80
VGS=10V
VGS=4.5V
TC=25oC
2.4
2.2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3v
3.5v
4v
60
VGS=3.5V
2.0
1.8
1.6
4.5v
5v
10v
40
20
VGS=3V
1.4
1.2
1.0
0
0.0
0.5
1.0
PULSE DURATION=80 μ S
DUTY CYCLE=0.5%MAX
1.5 2.0
2.5
0.8
0.6
10
20
30
40
50
60
70
80
VDS,DRAIN TO SOURSE VOLTAGE(V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.6
ID,DRAIN CURRENT
Figure 2. On-Resistance Variation with Drain
Current and Gate Voltage
0.016
TA = 125 C
1.4
1.2
ID = 40A
VGS = 10V
0.014
0.012
PULSE DURATION=80 μ S
DUTY CYCLE=0.5%MAX
o
ID=40A
1.0
0.8
0.010
0.008
TJ, JUNCTION TEMPERATURE ( C )
TA = 25 C
0.6
-80
-40
0 40 80 120 160
PULSE DURATION=80 μ S
DUTY CYCLE=0.5%MAX
o
200
0.006
3
o
4 5 6 7 8
VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
9
10
Figure 3. On Resistance Variation with
Temperature
160
PULSE DURATION = 80 m s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Votlage
100
VGS=0V
120
80
V DD = 15V
10
1
125oC
40
T J = 25 o C
T J = 175 o C
0.1
25oC
T J = -55 o C
-25oC
0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
FDP8876 Rev. A
3
VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
With Source Current and Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8880 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 92A, 5.9mヘ |
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