- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录424 > FDP8876 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDP8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
VDD=15V
5000
1000
C ISS = C GS + C GD
C OSS ? C DS + C GD
4
C RSS = C GD
2
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
0
5
10
15
ID=40A,ID=5A
20 25
30
35
100
0.1
V GS = 0V, f = 1MHz
1
10
30
100
Qg,GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge characteristics
1000
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation characteristics
STARTING T J = 25 o C
100
10 μ s
STARTING T J = 150 C
10
o
10
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
100 μ s
1ms
1
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
0.001 0.01 0.1 1 10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
100
1
0.1
1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10ms
DC
60
Figure 9. Unclamped Inductive Switching
Capability
80
800
Figure 10. Safe Operating Area
SINGLE PULSE
R θ JC = 2.14 o C/W
T J = 25 o C
60
V GS = 10 V
40
V GS = 4.5 V
20
100
0
25
50
75
100
125
150
175
60
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
T C , CASE TEMPERATURE ( C)
o
Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
FDP8876 Rev. A
4
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Normalized Drain to Source Breake
Down Voltage vs Junction Temperature
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP8880 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB |
| FDP8896 | MOSFET N-CH 30V 92A TO-220AB |
| FDP8N50NZ | MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3 |
| FDPC8011S | MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33 |
| FDPF045N10A | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 92A, 5.9mヘ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。