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参数资料
| 型号： | FDP8876 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8.7 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 70W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T A = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDE R
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z q JC x R q JC + T C
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 13. Normolized Maximum Transient Thermal Impedance
FDP8876 Rev. A
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDPF045N10A | MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDP8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch LogicLevel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8880_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDP8896 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET 30V, 92A, 5.9mヘ |
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