- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录425 > FDPF8N50NZU (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDPF8N50NZU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
-55 C
30
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
30
10
o
o
1
25 C
1
o
2. T C = 25 C
0.1
0.03
0.03
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
0.1 1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage[V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
1.6
1.2
0.8
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Note: T C = 25 C
0.4
0
3
12 15
I D , Drain Current [A]
o
18
1
0.4
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
0.8 1.2 1.6 2.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1200
900
600
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
4
300
C rss
2
Q g , Tota l Gate Charge [nC]
0
0.1
1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
10
30
0
0
3 12 15
*Note: I D = 6.5A
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF8N50NZU Rev C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDQ7236AS | MOSFET N-CH 30V DUAL PS 14-SOIC |
| FDQ7238AS | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| FDS2572 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF8N50NZU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 6.5A TO-220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 6.5A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V ;RoHS Compliant: No |
| FDPF8N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF9N50NZ | 功能描述:MOSFET N-CH UNIFET2 SINGLE GAGE 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP-M1-D01-HS | 制造商:Fraen Corporation 功能描述:Lens -Medium Beam Lens For Osram Golden Dragon LEDs |
| FDP-N1000 | 制造商:PANASONIC ELECTRIC WORKS - ACSD 功能描述:PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER 1M LE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。