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参数资料
| 型号： | FDPF8N50NZU |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 6.5A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 欧姆 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 735pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
DUT
I SD
Driver
+
V DS
_
L
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
V DD
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 14. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDPF8N50NZU Rev C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDPF8N60ZUT | MOSFET N-CH 600V TO-220F-3 |
| FDQ7236AS | MOSFET N-CH 30V DUAL PS 14-SOIC |
| FDQ7238AS | MOSFET N-CH DUAL 30V 14SOIC |
| FDS2572 | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC |
| FDS2582 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDPF8N50NZU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFETUNITFET 500V 6.5A TO-220F 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CH MOSFET, UNITFET, 500V, 6.5A, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.5A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:5V ;RoHS Compliant: No |
| FDPF8N60ZUT | 功能描述:MOSFET 600V 6.5A N-Chan FRFET UniFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDPF9N50NZ | 功能描述:MOSFET N-CH UNIFET2 SINGLE GAGE 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDP-M1-D01-HS | 制造商:Fraen Corporation 功能描述:Lens -Medium Beam Lens For Osram Golden Dragon LEDs |
| FDP-N1000 | 制造商:PANASONIC ELECTRIC WORKS - ACSD 功能描述:PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M 制造商:PANASONIC INDUSTRIAL AUTOMATION SALES 功能描述:PROTECT TUBE M4 DIF. FIBER 1M 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PROTECTIVE TUBE FOR M4 DIF. FIBER 1M LE |
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