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参数资料
| 型号： | FDS4141_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 10.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2005pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
1.4
V GS = V DS
1.10
I D = - 1mA
1.2
I D = - 250 μ A
1.05
1.0
1.00
0.8
0.6
0.95
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
4000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = - 10.5A
1000
C iss
8
6
V DD = -20V
V DD = -15V
V DD = -25V
4
C oss
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
100
0.1
1 10
60
0
0
5
10 15 20 25 30
35
40
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDS4141_F085 Rev. A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDS4141 | MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC |
| FDS4410A | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| FDS4435BZ_F085 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| FDS4435 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC |
| FDS4465_F085 | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDS4410 | 功能描述:MOSFET SO-8 N-CH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4410_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N |
| FDS4410A | 功能描述:MOSFET LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435 | 功能描述:MOSFET SO-8 P-CH -30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDS4435 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:30VP-CH. FET 20 MO SO8 TR :ROHS COMPL |
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