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参数资料
| 型号： | FDS6982AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A，8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6982ASDKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type Min Typ Max Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DSS
? T J
I DSS
I GSS
Drain-Source Breakdown
Voltage
Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
Zero Gate Voltage Drain
Current
Gate-Body Leakage
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V GS = 0 V, I D = 250 uA
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 μA, Referenced to 25 ° C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
30
30
28
24
500
1
± 100
V
mV/ ° C
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
? V GS(th)
? T J
R DS(on)
I D(on)
g FS
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
Static Drain-Source
On-Resistance
On-State Drain Current
Forward Transconductance
V DS = V GS , I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μA
I D = 1 mA, Referenced to 25 ° C
I D = 250 uA, Referenced to 25 ° C
V GS = 10 V, I D = 8.6 A
V GS = 10 V, I D = 8.6 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 7.5 A
V GS = 10 V, I D = 6.3 A
V GS = 10 V, I D = 6.3 A, T J = 125 ° C
V GS = 4.5 V, I D = 5.6 A
V GS = 10 V, V DS = 5 V
V DS = 5 V, I D = 8.6 A
V DS = 5 V, I D = 6.3 A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
1
30
20
1.4
1.9
–3.1
–4.3
11
16
13
20
26
2 5
32
19
3
3
13.5
20.0
16.5
2 8
33
35
V
mV/ ° C
m ?
A
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = 10 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 15mV,
V GS = 0 V,
f = 1.0 MHz
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1250
610
410
180
130
85
1.4
2.2
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 10V, R GEN = 6 ?
V DD = 15 V, I D = 1 A,
V GS = 4.5V, R GEN = 6 ?
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
9
10
6
7
27
24
11
3
12
12
13
14
19
15
10
5
18
20
12
14
44
39
20
6
22
22
23
25
34
27
20
10
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FDS6982AS Rev B 1
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