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参数资料
| 型号： | FDS6982AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V SO-8 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.3A，8.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 28 毫欧 @ 6.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 610pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | SO-8 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1604 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDS6982ASDKR |
Typical Characteristics Q1
20
V GS = 10V
4.0V
3.5V
2.6
V GS = 3.0V
16
6.0V
2.2
12
4.5V
1.8
3.5V
8
1.4
4.0V
4
3.0V
1
4.5V
6.0V
10V
0
0
1
2
0.6
0
5
10
15
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 12. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 13. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
T A = 125 C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
I D = 6.3A
V GS = 10V
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
T A = 25 o C
o
I D = 3.15 A
0.6
-50
-25
o
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
125
150
0
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
20
Figure 14. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 15. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
T A = 125 C
15
V DS = 5V
10
1
V GS = 0V
o
T A = 125 C
-55 C
-55 C
10
o
o
0.1
0.01
25 o C
o
5
0
25 o C
0.001
0.0001
1
1.5
2 2.5
3
3.5
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 17. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDS6982AS Rev B 1
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PDF描述 |
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